IGBT|SiC功率半導體器件測試設(shè)備

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品牌：	普賽斯儀表
單價：	1000.00元/臺
起訂：	1 臺
供貨總量：	10000 臺
所在地：	湖北武漢市
有效期至：	長期有效
最后更新：	2024-12-18 08:56

公司基本資料信息

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產(chǎn)品詳細說明

普賽斯IGBT|SiC功率半導體器件測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476

靜態(tài)-片頭

IGBT測試系統(tǒng)圖

普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢

高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

高精度測量

nA級漏電流, μΩ級導通電阻

0.1%精度測量

模塊化配置

可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元

測試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

支持國標全指標的一鍵測試

擴展性好

支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

IGBT|SiC功率半導體器件測試設(shè)備就找普賽斯儀表咨詢，詳詢一八一四零六六三四七六；PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計以及便捷的升級擴展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，引領(lǐng)了國內(nèi)IGBT測試的技術(shù)潮流。

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